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本文运用推广的Lee-Low-Pines(LLP)变分方法对该量子阱结构中由各种光学声子模引起的极化子效应进行了理论研究。在考虑和忽略内建电场两种情况下,采用数值方法计算了由所有上述声子模式引起的极化子的能量移动和有效质量移动随阱宽的变化。通过对两种情况的比较,我们发现,随着阱宽的增大,内建电场对GaN基量子阱中的极化子效应的影响越来越显著,说明内建电场是一个重要因素。当阱宽比较小时(小于1nm),两种情况的结果几乎重合,表明内建电场的影响不明显;当阱宽增大时,两者之间出现了明显的差别;而当阱宽足够大时(大于3nm),两者的变化趋势将出现本质区别,特别是界面模和GaN层准受限模。在考虑内建电场的情况下,当阱宽足够大时,由界面模和GaN层准受限模引起的极化子能量移动和有效质量移动都趋向于一个常数;相反,如果忽略内建电场,它们的极化子效应会逐渐消失。另外,通过计算结果可知,GaN基多层异质结构中的极化子效应比GaAs基异质结构中的极化子效应大一个数量级。