按照摩尔定律的发展，我们目前的先进技术特征尺寸是0.25微米，和0.18纳米乃至正渐渐投入生产的0.13微米技术．据ITRS(国际半导体技术发展路线图)预测，50纳米生产技术将成熟于2009年前后，而20纳米技术则出现于2017年左右。当集成电路技术的发展进入到亚50纳米之后，常规的硅技术将被推进到其极限而变得不再适用。集成电路技术的各个方面诸如器件结构、加工技术以及材料选用等都将会发生重大的变化。一些全新的量子和纳米电子器件诸如隧穿器件、单电子器件，碳纳米管器件等纳米尺寸的新器件逐步成为人们研究的热点。随着固态器件朝着小尺度、低维方向发展，它迈入了一个崭新的，由量子原理主宰的微观世界，成为一种量子结构。因此，固态器件技术演化成一种由人工构造的具有量子效应的结构技术。这既为电子、光电子信息技术提供了新的发展机遇，同时又提出了新的挑战。 单电子晶体管(Single-Electron Transistors，简写为SET)作为集成电路的基本单元，晶体管的进步，将能引起电子技术的新一轮革命。由于其根本原理上的差别，较传统晶体管而言，单电子晶体管可更大规模的集成，其体积可以缩小到原来的1％，所需电力也能够减少到原来的10<-6>，甚至更低。它极低的功耗可解决集成化不稳定因素问题。其高度集成化程度可远远超越目前大规模集成化的极限，并能达到海森伯不确定原理的极限而成为将来不可被取代的新型器件。 本文是利用蒙特卡罗方法模拟单电子晶体管(SET)在一定的几何和物理条件下如何工作，从而得到器件的I-V关系及其他参数，并对其结果进行了解释，以理解其中的物理现象，电学特性，提取和优化器件参数，研究器件特性与参数的依赖关系。