高功率半导体激光器的制备技术研究

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在量子阱激光器理论的基础上,总结并探讨了高功率半导体激光器的器件结构方面的设计优化。为了提高激光器的光学灾变(COMD)水平,进而提高输出功率,提出了一种新的腔面钝化方案,即氮离子腔面钝化方法。采用光荧光谱仪(PL)对钝化效果进行评价,对钝化前后样品的PL谱进行对比,发现钝化前后的样品的PL谱略有改进。并在实验中研究了钝化条件(温度、钝化时间、氮氢气体的流量、射频功率等因素)对钝化效果的影响,通过对PL谱的对比分析,大致得出了以上几个因素对钝化效果影响的规律性结论。对氮钝化的下一步研究和改进,具有一定的参考价值。
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