硅空气电池阳极结构对电化学性能影响研究

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硅空气电池理论比能为8470Wh/kg,远高于传统电池。硅材料来源广,储量高,价格低廉,其反应产物无毒、环保且易处理,操作简单,只需更换硅阳极以及添加电解质可继续放电。硅在碱性电解质中的高腐蚀速率和低阳极利用率限制了硅空气电池的应用。本文研究了硅空气电池在不同浓度KOH电解质和不同电流密度中的放电机理和腐蚀机理;使用不同硅纯度和掺杂元素的硅材料制备硅阳极,研究其对硅空气电池性能的影响;通过金属辅助化学刻蚀法对硅表面制绒,提高硅空气电池的放电性能。采用不同浓度KOH溶液作为硅空气电池的电解质进行硅空气电池恒流放电研究;利用三电极体系测试循环伏安曲线及极化曲线;通过质量变化法与极化法获得的硅腐蚀速率作比较。研究表明开路电位(OCPs)与电解质浓度无明显的相关性,电解质浓度的增大使放电电位也随之增大;氧化峰电位随电解质浓度的增加而逐渐负移,但阳极峰电流不受电解质浓度的影响;电化学腐蚀仅占总腐蚀的3.79%-8.17%。以不同的电流密度在5M KOH溶液中进行硅空气电池恒流放电研究,低电流密度下放电电位比高电流密度时显著提高。腐蚀质量随放电电流密度的增大而增大,当电流密度大于30μA/cm~2,腐蚀质量基本不变,阳极质量转换效率随电流密度的增大而增大。使用掺杂元素分别为B和P的太阳能级硅(6N)及电子级硅(9N)制备硅阳极,分别进行恒流放电性能研究;进行了硅电极在5M KOH中的极化、循环伏安(CV)及电化学阻抗谱(EIS)研究。相对于p型硅,n型硅提供了更高的放电电位,硅纯度对放电电位无显著影响;n型硅较于p型硅更易腐蚀,太阳能级硅比电子级硅更易腐蚀,电化学腐蚀贡献为3.35%-4.43%;电子级硅阻抗较高,且n型硅阻抗比p型硅高;由空间电荷层电容Csc值可知,p型太阳能级硅在半导体耗尽层中的载流子数更高;n型太阳能级硅的电荷转移电阻较低,表明其导电性能最好。利用金属辅助化学刻蚀法在硅表面制备硅纳米线阵列,刻蚀时间的延长使孔径和纳米线长度增大,在刻蚀时间为90min-180min时可以得到较好的表面形貌。随刻蚀时间的延长,放电时长增大,120min时达到最大值;之后硅纳米线阵列比表面积开始减小,放电时长减小。
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