一种高性能双极晶体管的结构研究

来源 :重庆邮电大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wang8550cimc
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
双极高频器件己大量应用于军用、民用电子设备中,其典型应用主要在通信、雷达(含导航)和电子对抗领域。全固态电子设备的体积、重量、性能、价格和可靠性很大程度上都取决于双极功率器件及放大器性能,因此提高该类器件的性能具有很大的应用价值和现实意义。在制作单片低噪声放大器时,虽然GaAs和SiGe同硅相比具有很多优点,尤其是较高的频率范围,但是硅双极器件在较低的频率范围仍然占有优势。工作频率低于4GHz的硅双极晶体管为许多电子设计提供了可靠而低廉的设计方案。目前我国发展硅双极工艺技术的MMIC方面取得了很大成就。 双极晶体管独特优点: ①优越的工作速度②优越的驱动能力和跨导③优越的阈值电压可控性④优越的噪声性能⑤在功耗不受限制的集成电路中,双极电路的速最快。 缩小器件尺寸仍然是提高双极器件性能的必然途径。本论文就采取先进的双层多晶硅自对准工艺来缩减晶体管的尺寸来提高双极晶体管的速度。根据模拟集成电路国家重点实验室的工艺不能够做深槽隔离,所以采用沟阻隔离。本课题目标采取特征尺寸为1微米的工艺使晶体管的f<,T>达到10GHz。最后开发出多晶硅发射极,浅结薄基区,E-B侧墙氧化物自对准隔离的形成,沟阻隔离等技术的高性能晶体管,模拟器件最高特征频率10GHz,最后流片测试最高特征频率为9.5 GHz,基本上和预计目标相差不大。最后作出采用本论文设计的双极晶体管作出满足性能指标的MMIC低噪声放大器,稳定性能好,带宽为1.48GHz,增益为23.2dB。
其他文献
在制备许多具有优良性质的新型材料(例如氮化硼、氮化硅)的固相反应中,氮化镁是不可缺少的烧结助剂,例如,氮化镁在高温高压下可以促进六方氮化硼向立方氮化硼的转化。同时,氮化镁还可用于回收核燃料等领域。此外,目前普遍认为氮化镁粉末为直接带隙半导体材料,带宽为2.8 eV左右,所以在发光二极管和激光二极管方面,氮化镁也具有潜在应用价值。虽然通过镁粉和氮气反应制氮化镁已经实现了工业化的生产,但氮化镁粉末的纯
期刊
水生呼肠孤病毒感染多种水生动物,是水产养殖业健康发展的重要威胁之一。在从患病的大菱鲆中分离到一株水生呼肠孤病毒(Scophthalmus maximus reovirus,SMReV),对其形态结构,理化
期刊
期刊
微带天线具有许多优点,如体积小、重量轻、易共形且易于批量生产,在很多领域得到了广泛的应用,如:个人通信、射频标签识别、导弹、雷达等等。但是微带天线也有致命缺点频带窄,因此
期刊
期刊
期刊
磷是植物生长发育所必需的营养元素之一,而土壤对磷的吸附固定作用严重限制了植物对磷的吸收和利用。大豆是农业生产中重要的油料和粮食作物,土壤低磷有效性是限制大豆生产的重