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液晶显示器(LCD)市场保有量巨大,其中铟回收过程中其他金属也会伴随铟而存在于回收过程,因此液晶显示器的无害化、资源化以及污染控制已成为当物之急。本文以废TFT-LCDs面板破碎料为研究对象,系统地研究了废TFT-LCDs面板铟浸提萃取和反萃、电解精炼回收过程中伴随金属的转移特性,开展废液晶显示器面板中铟在多种伴随金属共存条件下的选择性回收技术研究,为废液晶显示器面板铟及伴随金属的清洁回收技术提供科学依据。分别采用硫酸体系和盐酸体系消解废TFT-LCDs面板。结果表明：两种酸体系中In的浸出值相似,而硫酸体系的伴随离子浸出量较低。为了后续铟回收环节中减少伴随离子对于回收铟的影响,采用硫酸体系酸浸废TFT-LCDs面板,减少浸提过程杂质离子进入浸提液,从源头开展杂质离子浸出控制；以浸提液中In3+选择性转移为技术途径,利用P204实现In3+的萃取分离,通过萃取时间、酸度、浓度等关键因子调控,建立了高效转移分离技术,同时实现杂质离子转移控制。结果表明：选用30%P204作为萃取剂对铟进行萃取。在配置的标液中,In3+的萃取速率比A13+和Fe3+快,利用P204对铟、铁、铝萃取动力学上的差异反应控制在1-3min可有效将In3+与Fe3+、Al3+分离。废TFT-LCDs硫酸浸出液中,虽然Fe3+和A13+也会少量伴随,但P204对废TFT-LCDs浸出液中In3+的选择性高。废TFT-LCDs面板硫酸浸出液反萃过程中In3+的反萃率达100%,Fe3+、Al3+和B3+虽含量大但萃取率不到10%,反萃率不到5%,Sn2+虽萃取率高且反萃率低,但酸浸液中含量低。因此可利用P204选择分离性有效分离In3+与其他伴随离子。浓缩液3、4、8倍废TFT-LCDs面板硫酸浸出液的结果表明：伴随In3+同步浸出的Fe3+、B3+、Al3+萃取率较低,对铟萃取产生一定的影响,但是单一离子对铟萃取率的影响低于5%。Sn2+和Ti4+在P204中萃取率较高,单一Sn2+对In3+萃取率的影响较大,而单一Ti4+对In3+的萃取率的影响较小。考虑伴随离子在P204中的蓄积问题,在利用P204萃取前应考虑分离或去除Sn2+。废TFT-LCDs面板硫酸浸出液浓缩后,伴随着其中的In3+浓度增高其酸度增加,严重影响着P204萃取In3+的能力,调整浓缩液酸度后In3+的萃取率仍可达99%以上。使用离心萃取机进行大批量样品的萃取/反萃,为技术优化与转化提供关键支持。结果表明：离心萃取机萃取In3+效率高,可在短时间内达到较优的萃取效果。对未浓缩和浓缩后的In3+标液进行一次萃取萃取率可达99%以上。由于伴随离子的影响,离心萃取机萃取浓缩和未浓缩的废TFT-LCDs硫酸浸出液时需要进行两次萃取才能使In3+的萃取率达98%以上。Sn2+萃取率高反萃率均较低,多次使用萃取剂存在富集从而使萃取剂老化,因此在实际工程应用之前需考虑去除。废TFT-LCDs硫酸浸出液三次反萃率为92.02%,浓缩3倍的三次反萃率为64.38%。利用金属电沉积原理和技术开展了再生技术研究,获取的铟电沉积技术满足铟选择性再生目的,最终研发出废液晶显示器面板铟选择性再生关键技术和适宜参数。