铟镓氮(InxGa1-xN)是当今世界新兴的半导体材料之一。InxGa1-xN材料由于拥有覆盖了整个太阳光谱且连续可调的禁带宽度成为了光电子和微电子领域的研究热点和前沿。同时,直接带隙、高的电子迁移率,稳定的化学机械性质和较强的抗辐射能力使得InxGa-xN材料焕发出强劲的活力。本文在前人研究的基础上采用低成本且简单易行的溶胶-凝胶、高温氨化两步法制备三元合金InxGa1-xN材料。其中以氯化铟为铟源,氯化镓为镓源,柠檬酸为络合剂,通过改变氨化温度、氨化时间及In组分的含量,并对样品进行了结构、形貌和元素成分的分析。结果表明：氨化温度为670℃,氨化时间为8h的样品具有较为理想的性能。室温光致发光谱测试表明样品在420nm-440nm存在一个蓝光发光区间,霍尔测试表明退火处理可以减少晶格缺陷,提高晶体质量。本文还对三元合金InxGa1-xN薄膜进行了1%、3%、5%的Mg2+离子p型掺杂研究。通过微观结构以及元素含量分析,证明了Mg2+离子的成功掺入。霍尔测试同样证明了经过二次退火后的样品呈现出p型并且具有较高的空穴浓度和较小的电阻率。