【摘 要】
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本文采用分子动力学方法，以Tersoff势作为Si、C原子间的相互作用势，对Si（001）清洁表面构型及SiC生长初期C原子的沉积机制进行了较为详细的研究。通过对荷能C原子与Si（001）相互作用过程的分析，探讨了荷能C原子作用下，碳化层的生长机理。模拟结果包括（1）Si（001）清洁表面构型有趋于（2×1）再构的趋势，（2）给出了C原子在Si（001）再构表面的沉积机制，（3）C原子相对于...
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本文采用分子动力学方法，以Tersoff势作为Si、C原子间的相互作用势，对Si（001）清洁表面构型及SiC生长初期C原子的沉积机制进行了较为详细的研究。通过对荷能C原子与Si（001）相互作用过程的分析，探讨了荷能C原子作用下，碳化层的生长机理。模拟结果包括（1）Si（001）清洁表面构型有趋于（2×1）再构的趋势，（2）给出了C原子在Si（001）再构表面的沉积机制，（3）C原子相对于
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