【摘 要】
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本文采用分子动力学方法,以Tersoff势作为Si、C原子间的相互作用势,对Si(001)清洁表面构型及SiC生长初期C原子的沉积机制进行了较为详细的研究。通过对荷能C原子与Si(001)相互作用过程的分析,探讨了荷能C原子作用下,碳化层的生长机理。模拟结果包括(1)Si(001)清洁表面构型有趋于(2×1)再构的趋势,(2)给出了C原子在Si(001)再构表面的沉积机制,(3)C原子相对于...
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本文采用分子动力学方法,以Tersoff势作为Si、C原子间的相互作用势,对Si(001)清洁表面构型及SiC生长初期C原子的沉积机制进行了较为详细的研究。通过对荷能C原子与Si(001)相互作用过程的分析,探讨了荷能C原子作用下,碳化层的生长机理。模拟结果包括(1)Si(001)清洁表面构型有趋于(2×1)再构的趋势,(2)给出了C原子在Si(001)再构表面的沉积机制,(3)C原子相对于
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