二碲化钼由于其由体材料向单层转变时,会由间接带隙转变为直接带隙,而且具有与硅类似的能带隙,而受到了广泛的关注。但是由于体材料二碲化钼原子层之间的范德瓦尔斯力比较大,通过机械剥离方法制备单层二碲化钼薄膜是比较困难的,而且此方法下得到大面积的单层薄膜也是不太现实的,因此如何通过化学气相沉积法实现可控的大面积、高结晶质量的单层或薄层二维二碲化钼薄膜制备,就成为一个非常重要的研究课题。本论文围绕通过利用化学气相沉积法可控地制备比较大面积、高结晶质量的二维二碲化钼为基础展开研究,其研究主要内容如下:1、通过改进反应装置,实现在常压下,通过化学气相沉积法,在单温区高温管式炉中制备出二维二碲化钼薄膜,这使得实验步骤变得简单节省成本。并利用了光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜等对制备出的二碲化钼薄膜的成膜质量进行表征分析,证明得到了结晶质量较好的单层和少层的1T’相二碲化钼薄膜。2、通过调节CVD法制备二碲化钼中的生长温度、药品的比例,以及衬底的位置等参数,探究了不同生长条件对于二碲化钼成膜质量的影响,讨论了实现CVD法制备面积和质量都较好的的单层和薄层的二碲化钼薄膜的最适生长条件。3、采用机械剥离法制备了单层二硫化钼薄膜,并转移到采用化学气相沉积法所制备的二碲化钼薄膜上,做成二硫化钼/二碲化钼异质结,并通过拉曼光谱,光致发光光谱表征探究异质结的相关光学性质。图30幅,表4个,参考文献52篇。