PZT膜的应力效应和CCTO替代效应研究

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【摘要】

：

铁电材料在铁电存储器、红外探测器、声表面波和集成光电器件等固态器件方面有着非常重要的应用,极大地推动了铁电物理学及铁电材料的研究和发展。目前应用最好的是具有ABO3钙钛矿结构的Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)系列。在居里温度附近,PZT薄膜具有极高的介电常数(可达10~3-10~4),但是PZT薄膜的铁电、介电性质会受到它生长的衬底的影响。本文的第一部分用修正的朗道热力学理论研究在MgO衬底上生

【作者】

：

胡志祥

【机构】

：

河南科技大学

【发表日期】

：

2009年12期

【关键词】

：

铁电体薄膜应力相变 BaCu3Ti4O12 介电常数

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