SnO2是一种重要的宽带隙n型半导体金属氧化物(禁带宽度为3.6eV)，其优异的气敏和光电性能，使它在气敏传感器、催化、光学材料、电极材料等诸多领域具有广泛的应用。稀土(RE)元素因其丰富的能级和独特的4f电子结构，而具有优异的光学、电学和化学方面的特性，可应用于发光器件、催化剂、和其他功能性材料领域。　　本研究采用简单的水热法，在不选用任何模板剂与生长基底的条件下，以Na2SnO3·4H2O和NaOH为前驱体，乙醇和水的混合溶液为溶剂，在150℃～200℃温度范围内成功合成了纳米棒阵列结构SnO2和掺杂稀土RE(RE=La、Nd、Eu、Sm)∶SnO2的纳米棒阵列材料。　　通过XRD、SEM、EDX、TEM、HRTEM对材料微观结构和形貌进行分析和表征，结果表明本研究中制备的SnO2纳米棒阵列材料纯度高、结晶好、有序度高。通过拉曼光谱和紫外-可见光光谱测试了材料的光学性能。讨论了水热合成工艺参数（溶液PH、水热温度、水热时间、锡源浓度）对SnO2纳米结构、形貌的影响，并探讨了SnO2纳米棒阵列的生长机理。　　对材料进行气敏性能测试，分析了SnO2和不同稀土掺杂量的RE∶ SnO2的纳米棒阵列的气敏性能，结果表明纳米棒阵列材料具有较好的气敏性能，并且适当的稀土掺杂有利于提高SnO2的纳米棒阵列材料的灵敏度、选择性以及响应恢复等特性。探讨了SnO2和稀土掺杂RE∶ SnO2的纳米棒阵列和气敏机理。