本文以甜菜（Beta vulgaris L.）为实验材料，探索了不同高温处理下甜菜光合作用的变化情况。本论文主要包括三个部分：甜菜在高温胁迫下的关键温度探索、甜菜在热害处理后进行光照和黑暗条件下的恢复比较、甜菜在高温和盐逆境下的抗性研究。论文主要探讨了甜菜的光合作用在高温下的响应，以及热害后的恢复机制。实验结果如下：1．甜菜的热害临界温度甜菜的净光合速率Pn随着处理温度的升高而逐渐减小，并在51℃温度处理时出现负值。气孔导度Gs随着处理温度的升高而增加。在42℃以下甜菜光合速率的减小主要是气孔因素造成的。45℃以上光合速率的减小，则是由于光合反应中心受损或叶肉细胞遭到破坏等非气孔因素所造成的。甜菜的实际光化学效率随着处理温度的升高而逐渐减小，并在42℃时出现K相。同时，ΦPo和ΦEo也逐渐减小，但甜菜的ΦDo却明显增加，说明甜菜通过增加热耗散来减少高温对其生长发育的影响。高温处理减少了单位叶面积上有活性反应中心的数量（RC/CSm），同时也减少了单位叶面积上光能的捕获和吸收量，但却增加了单位反应中心用于电子传递的能量（ETo/RC）。单位反应中心的热耗散量（DIo/RC）在高温处理下也得到增加。综上所述，42℃为甜菜高温胁迫下的关键温度。2．甜菜在热害胁迫后的恢复甜菜净光合速率的恢复情况和光合放氧量的恢复情况一致，即在39℃处理后的8h可恢复，在42℃处理后的48h内得到恢复，但在48℃处理后却没有恢复。初始荧光Fo在39℃处理时没有增加，但在42℃时开始增加。在42℃处理后的光照下48h内即可恢复，但在黑暗下没有恢复。在45℃处理时在光照下有一定程度的恢复，但同样在黑暗下没有恢复。39℃处理后甜菜PSII在光下可恢复到处理前水平，说明39℃的处理对PSII造成的伤害很小。42℃及以上温度处理后PSII在光照条件下有一定程度的恢复，在黑暗下却没有恢复，这说明42℃已经对PSII造成损伤，但这种损伤是可逆的，在光照下可以得到恢复。3．甜菜在盐和高温胁迫下的交叉抗性25℃温度下，加盐处理减少了甜菜单位面积上有活性的反应中心的数目（RC/CSm），但在42℃和45℃温度下，加盐处理的RC/CSm明显高于对照。在盐和高温协同处理下，甜菜的ΦEo、PIABS、Pn、ΦPo和RC/CSm的变化趋势一样，但ΦDo的变化趋势却相反。这表明高温胁迫前的盐处理可以减缓高温胁迫下甜菜受到的伤害。高温胁迫前的盐处理有助于减少热耗散，却增加了用于电子传递的能量，同时抑制了PSII的RC/CSm和PIABS的降低。总之，适量的盐浓度能提高甜菜的抗热性，说明甜菜在盐和高温胁迫下有一定的交叉抗性。