物联网、智能终端及移动通信等产业的迅猛发展，给射频前端集成电路技术的发展带来了巨大的机遇与挑战。低成本的集成天线开关、低噪声放大器，甚至是功率放大器的射频前端整合模组设计已成为射频前端技术发展的关键挑战。　　为满足新形势下低成本、高性能、高度整合的射频前端模组及系统应用需求，华虹宏力半导体制造有限公司（以下简称“华虹宏力”或“HHGrace”）推出了低成本、高性能的0.2μm RFSOI CMOS工艺平台。本文基于该RFSOI CMOS工艺开展涉及高功率天线开关、低噪声放大器整合模组设计及射频ESD协同设计的射频前端关键电路技术研究，主要研究内容及创新点如下：　　1.理论分析了射频开关功率处理能力、研究了天线开关高功率设计方法及功率处理能力改善技术，对射频开关单刀多掷IP核进行了分析与优化设计，对射频开关驱动技术进行了分析与改善设计，进而设计了高功率单刀多掷天线开关系统架构。　　2.开展RFSOI CMOS层叠器件技术研究，理论分析了浮体及体接触器件的差异及改善高功率线性度的栅极与源-漏偏置、体-栅二极管自偏置、栅-源电容前馈技术。　　3.提出了一种单刀多掷射频开关IP核简化小信号分析模型，分析了工艺优值与插损及隔离度的关系，为射频开关设计及工艺优化提供参考。　　4.基于0.20μm RFSOI CMOS工艺设计了高功率天线开关SP12T及驱动与控制电路，测试分析获得了35dBm输入功率下高于30dB的隔离度、低于1.3dB的插损和高于76dBc的谐波抑制比。　　5.理论分析比较了LNA常用输入架构，优化改进了LNA设计的三阶跨导补偿线性度改善技术，提出了具有线性度改善的低功耗新型共源耦合电流复用LNA、二次电流复用LNA及0.6V低电压互补电流复用LNA电路结构。　　6.基于GPS LNA产品分析，以共源共栅LNA分析了0.20μm RFSOI CMOS工艺的LNA应用性能，设计了一种低功耗高增益的新型电流复用GPS LNA电路，获得26.4dB的增益、1.3dB的噪声系数。　　7.分析评估了0.20μm RFSOI CMOS工艺ESD能力并进行了全芯片ESD电路设计，提出了一种利用层叠开关器件进行ESD泄放、节省面积的射频开关ESD协同设计方法，对LNA与ESD进行了协同优化设计并分析了ESD对LNA性能的影响。