随着MOS器件尺寸的缩小,其过剩噪声日益增加,且过剩噪声主要成分逐渐从热噪声转变为散粒噪声。基于纳米MOSFET输运机制的改变以及热噪声和散粒噪声的物理起源,本文在纳米MOSFET准弹道输运电流模型的基础上,推导了其过剩噪声主要成分转变的条件,由该转变条件能准确预测纳米MOSFET的噪声特性。为了定量描述纳米MOSFET电流噪声,本文推导了纳米器件电流噪声的散射理论统一模型,该模型适用于器件从相干输运到非相干输运的整个输运范围,并同时考虑了泡利不相容原理和库仑作用对散粒噪声的抑制。因此,本文模型可用于描述实际纳米MOSFET的散粒噪声抑制特性。在上述工作的基础上,本文对纳米MOSFET散粒噪声特性进行了Monte Carlo模拟研究,得到了散粒噪声抑制因子与偏置电压、工作温度以及源漏掺杂浓度之间的关系。