高效率低成本的晶体硅太阳电池的制备对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义。制备性能优良的减反射钝化薄膜是生产高效率低成本晶体硅太阳电池的重要工序之一。采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备制备的硅太阳电池减反射钝化膜,能有效的降低电池对太阳光的反射以及钝化硅片,进而提高电池的转换效率。　　 本文在系统综述当前太阳能发展趋势、太阳电池用减反射钝化膜的研究进展和面临的问题的基础上,利用PECVD设备,以纯硅烷(SiH4)和纯甲烷(CH4)为气源在硅片上沉积了一种新型的减反射钝化膜——α-SiCx:H薄膜,对薄膜在高温和常温下的稳定性进行了系统的研究。对薄膜利用快速热处理和常规热处理设备在不同温度下进行了不同时间的退火处理,以研究高温退火对薄膜的结构、光学、钝化性能的影响;将薄膜分别在常温下于水中、空气中、干燥皿中放置不同时间,以研究常温环境下薄膜结构性质的变化。　　 实验表明:快速热处理和常规热处理对α-SiCx:H薄膜性质的影响趋势基本一致。热处理时间和温度对薄膜的性质有很大影响:随着热处理温度的升高,薄膜膜厚降低,薄膜变得更加致密,较低温度下的热处理对薄膜的折射率变化影响不大,热处理温度升高时折射率迅速升高。薄膜的致密化能在很短的时间内完成。热处理过程对薄膜反射率的影响不大。　　 α-SiCx:H薄膜钝化效果随衬底温度增加而增加,当温度继续升高时,有所降低。较低温度、较短时间的热处理过程能明显提高薄膜的钝化性能:当热处理温度增高、时间增长时,薄膜的钝化性能降低,少子寿命下降。较低衬底温度沉积的薄膜在热处理过程之后钝化效果提升,较高衬底温度沉积的薄膜在热处理过程之后钝化效果下降。　　 将α-SiCx:H薄膜在常温下放置于水、空气、干燥皿中不同时间后的结构变化进行了测试分析。薄膜的环境稳定性和沉积温度有很大关系,低温下沉积的薄膜在常温环境中稳定性较差,沉积温度越低氧化越严重,250℃以上温度沉积的薄膜则经过长时间的放置后未出现明显氧化。薄膜在水中的氧化程度明显大于空气和干燥皿环境,由于水含量较少,干燥皿中薄膜的氧化程度最小。