本论文的研究对象是一种新型结构的有机薄膜晶体管——有机静电感应晶体管(Organic Static Inductive Transistor:OSIT)。它具有静电感应晶体管(SIT)的垂直结构,使用有机半导体材料——酞菁铜(Copper Phthalocyanine:CuPc)作为有源层。这种CuPc-OSIT样品于1999年试制成功。本论文主要研究内容是解析CuPc-OSIT的工作机理。首先,根据实际制作的CuPc-OSIT样品建立了物理模型,选取适当的结构参数,并设定边界条件,采用有限元法,使用Marc软件,进行了仿真分析,获得了模型沟道内部的电位分布云图。然后依据电位分布图形,分析和讨论了OSIT的沟道势垒与偏压及结构参数的关系。验证了无机SIT的沟道势垒控制机制适用于OSIT器件。另一方面,为了解析OSIT器件的电流-电压(I-V)特性,了解有机电子器件中载流子注入和传输的实质,结合已有的理论模型,对OSIT样品的实测I-V特性曲线,进行数据拟合。通过比较理论拟合曲线与实测特性曲线,进一步讨论了不同工作电压范围下,OSIT器件中载流子的注入和传输模式。验证了无机SIT的相关理论对OSIT器件同样适用。本论文对OSIT的工作机理进行了比较系统和深入的理论分析和阐述。包括器件工作时其内部的电势分布状态,载流子注入和传输机理,以及工作特性与器件结构参数的关系等等。为建立完整的OSIT器件理论提供了一些依据,并为OSIT的结构参数优化设计及其实用化做了理论上的系统准备。