Al掺杂ZnO（AZO）薄膜因其原材料丰富无毒、制造成本低和光电性能优异等特点,逐步取代了铟锡氧化物（ITO）薄膜,成为了目前研究最广泛的半导体氧化物薄膜。由原子层沉积法（ALD）制备的ZnO/Al₂O₃纳米叠层薄膜因其宽范围的电阻率能够满足微通道板打拿极导电层对电阻的要求,成为了微通道板打拿极导电层的一种材料选择。本文基于微通道板（MCP）打拿极导电层薄膜的电阻要求,分别通过原子层沉积法和溶胶凝胶法（Sol-gel）制备了高阻的AZO薄膜,并对制备出的薄膜样品进行了扫描电子显微镜测试（SEM）、原子力显微镜测试（AFM）和薄膜方块电阻测试。通过对测试结果的分析讨论,研究了沉积温度、叠层比例和退火处理对ALD-ZnO/Al₂O₃薄膜表面形貌和电学性能的影响;研究了薄膜组分和热处理工艺对Sol-gel-AZO薄膜表面形貌和电学性能的影响。最终得到了以下结论:1)ALD法制备ZnO/Al₂O₃薄膜的沉积温度窗口为170℃²00℃,当沉积温度高于170℃时,ZnO/Al₂O₃薄膜方阻的数量级达到10¹²,可以满足微通道板打拿极导电层的电阻要求。2)对于Al₂O₃循环百分比为50%的ALD-ZnO/Al₂O₃薄膜,当子循环系数k≥10时,薄膜的横截面SEM测试图中可以观察到明显的叠层结构;4≤k≤7时,薄膜方阻数量级在10¹²¹0¹⁴之间,满足微通道板打拿极导电层电阻要求。3)随着Al含量的增加,Sol-gel-AZO薄膜的晶粒尺寸变小,薄膜表面粗糙度降低;薄膜的电阻随Al含量的增加而变大,当Al含量在50%⁸0%之间时,薄膜方阻的数量级在10¹²¹0¹⁴范围内,满足微通道板打拿极导电层电阻的要求。4)随着退火温度的增加,Sol-gel-AZO薄膜的表面粗糙度降低,在退火温度为550℃时,表面粗糙度为0.810 nm,薄膜的电阻随退火温度的增加呈下降趋势;随着退火时间的增加,薄膜中的晶粒逐渐长大并趋向于六边形结构,且薄膜的电阻先增大后减小。