利用动电位极化曲线、电化学阻抗谱、电化学噪声及扫描电子显微镜(SEM)研究了纯镁、Mg-10Gd-2Y-0.5Zr(GW102K)镁合金、AZ91D在不同厚度薄液膜下的腐蚀行为,同时对氧气在纯镁在薄液膜下腐蚀过程中的作用及T4处理对AZ91D在薄液膜下腐蚀行为的影响进行了探讨。基于散粒噪声和随机理论,分别利用Weibull和Gumbel函数对纯镁和GW102K镁合金腐蚀过程的电化学噪声数据进行统计分析,并探讨了纯镁和GW102K在薄液膜下的腐蚀机制。实验结果表明:在薄液膜下,镁及镁合金腐蚀的阴极和阳极过程都受到了抑制,腐蚀类型比本体溶液下的更趋于局部腐蚀。薄液膜和本体溶液下纯镁及其合金腐蚀的阴极过程都受氢还原控制,阴极过程随着液膜厚度的减小而变缓。氧气的存在使纯镁腐蚀阴极过程和阳极过程都减缓,但对阴极过程的抑制作用并不明显,而对阳极过程的抑制作用很明显。与本体溶液相比,薄液膜对纯镁腐蚀的阳极过程有正反两方面的作用。一方面,薄液膜使点蚀的孕育速度减缓,腐蚀事件发生的频率比本体溶液下的低;另一方面,使点蚀成长的概率增加。薄液膜下纯镁表面产生的亚稳态点蚀成长成稳态点蚀的概率比本体溶液下的大。点蚀孕育速度比点蚀成长概率对纯镁腐蚀阳极过程的影响更大,这导致了薄液膜下纯镁腐蚀阳极过程减缓。对于GW102K镁合金,液膜厚度的变化对其腐蚀行为也有两方面的影响:(1)液膜厚度的减小抑制了其点蚀的孕育;(2)降低点蚀的成长概率,从而使其腐蚀减缓。T4处理后AZ91D大气腐蚀机制没有发生变化。