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近年来，无线传真、手机、全球定位系统(GPS)、军事雷达系统、智能交通系统(ITS)和直播卫星(DBS)等无线通信技术飞速发展，从而带动了谐振器、滤波器和振荡器等微波元器件对介电陶瓷的需求。对于毫米波的超高频率和基板应用，需要超高品质因数Q和低介电常数的陶瓷。氧化铝是这类陶瓷的典型代表。本论文以Al2O3陶瓷为研究对象，以MgO、Ta2O5、Sb2O5、Eu2O3、CaTiO3为掺杂助剂，制备了普通和透明Al2O3陶瓷，并对其烧结性能、显微结构和微波介电等性能进行系统研究。 首先，采用高纯α-Al2O3粉为原料，利用湿化学法添加掺杂助剂MgO和Ta2O5，制备了透明和普通氧化铝陶瓷。研究表明:Ta2O5单掺和MgO/Ta2O5共掺对透明氧化铝陶瓷的密度和微波介电常数无明显影响，密度均接近理论密度，介电常数在10.0左右波动，但两种掺杂方式均会对Q×f值产生不利影响。而适量的单掺和共掺有利于普通氧化铝陶瓷的致密化和Q×f值的提高，并且共掺的效果相对优于单掺，500 ppm MgO/1000 ppmTa2O5掺杂的普通氧化铝样品，其微波介电损耗为4.45×10-5，Q×f值为209，855 GHz。 其次，利用湿化学法制备了Sb2O5单掺和MgO/Sb2O5共掺的普通氧化铝陶瓷。研究表明:Sb2O5的掺入阻碍了Al2O3陶瓷的致密化，随着Sb2O5掺杂量的增多，单掺及共掺样品的密度及介电常数不断下降。两种掺杂方式对样品Q×f值的影响差别较大。单掺会损害材料的Q×f值，而适量的共掺可以提高样品的Q×f值。500 ppm MgO/1000 ppm Sb2O5掺杂的样品，其微波介电损耗为4.95×10-5，Q×f值为197，788 GHz。 接着，利用湿化学法制备MgO/Eu2O3共掺的普通氧化铝陶瓷。结果表明:合适的MgO/Eu2O3共掺量有助于Al2O3的致密化和晶粒生长。在介电性能方面，MgO/Eu2O3共掺对Al2O3陶瓷的介电常数没有明显的影响，但对介电损耗的影响显著。随着Eu2O3含量的增加，Al2O3陶瓷的Q×f值会呈现先增加后下降的变化趋势。0.05 wt％MgO/0.10wt％Eu2O3共掺的样品在1590℃下保温4h获得的微波介电性能最佳，εr～9.82，Q×f～225,225 GHz。 最后，采用固相法制备了氧化铝陶瓷。CaTiO3可以使Al2O3的烧结温度降低至1450℃，但在该温度下烧结的样品由于CaTiO3的加入会产生CaAl12O19第二相。1450℃下掺杂2.5 wt％CaTiO3的氧化铝陶瓷具有较好的烧结性能，体积密度可达到3.90 g/cm3，但微波介电性能严重恶化，其Q×f值仅为8061GHz。