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本文采用化学气相沉积法分别制备了SnO_2纳米线和Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)纳米线及纳米带样品,探索了获得居里点在室温以上的稀释铁磁性半导体纳米线的制备方法和工艺条件;用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)、光致发光谱仪(PL),X射线光电子能谱仪(XPS)等表征手段,对样品进行了系统的研究,详细研究了样品的微结构、形貌以及磁性,并对其生长机理和磁性来源进行了探讨。