基于物质光学特性的温度探测法具有可探测距离远、精度高、响应快、探测温区宽及非接触等特点,成为近年来研究热点。本文以耐高温陶瓷材料YAG、ZrO₂和YVO₄为基质,选择Dy³⁺、Eu³⁺稀土离子,制备了稀土掺杂陶瓷基发光材料,对合成材料进行了XRD、SEM和发光特性分析,研究了掺杂浓度对材料结构和发光性质的影响,基于热耦合能级荧光强度比测温法对稀土掺杂陶瓷材料的荧光温度特性开展了研究工作。采用溶胶-凝胶法与燃烧法相结合制备了YAG:Dy³⁺粉体,XRD结果表明:YAG:3%Dy³⁺和YAG:4%Dy³⁺样品均保持了基质YAG的晶相结构。在365nm光激发下,两种掺杂浓度样品的发光峰主要集中在可见光区范围,其中4%掺杂浓度样品的发光强度要高于3%的样品。在373-773K温度范围内,YAG:4%Dy³⁺样品的发光峰位没有变化,由于热淬灭效应,随温度升高573nm和478nm处发光强度降低。基于热耦合能级455nm(⁴I_15/2→⁶H_15/2)和478nm(⁴F_9/2→⁶H_15/2)的荧光强度比与温度拟合关系,得到Dy³⁺离子的热耦合能级差ΔE为670cm^-1。YAG:4%Dy³⁺在温度范围373K-773K内,测温灵敏度在373K达到最大值6.94×10^-3K^-1。采用固相法制备了ZrO₂:Eu³⁺发光材料,XRD结果表明,Eu³⁺浓度为1%和8%时ZrO₂:Eu³⁺仍保持基质ZrO₂的晶体结构。发光特性显示,在室温447nm激发时,8%掺杂浓度样品的发光强度要高于1%掺杂浓度的样品。变温发光特性显示,在530nm-605nm波段的发射峰的峰位与室温结果一致。544nm和597nm处的发光强度在423K前均随温度升高而升高,由于温度淬灭效应,在423K后发光强度下降。基于Eu³⁺离子的热耦合能级544nm（⁵D₁→⁷F₁）和597nm（⁵D₀→⁷F₁）的荧光强度比与温度拟合得到热耦合能级差ΔE为1641.6cm^-1。在373-573K测温范围内,ZrO₂:8%Eu³⁺的测温灵敏度在373K达到最大值5.92×10^-3K^-1。采用溶胶-凝胶法制备了YVO₄:Eu³⁺发光材料,XRD结果表明,5%和7.5%掺杂时Eu³⁺离子完全掺杂进入YVO₄晶格中,没有新相出现。在室温条件下,532nm激发时,7.5%掺杂样品的发光强度要高于5%掺杂样品。变温发光特性显示,在447nm激发下,离子Eu³⁺的发射峰的峰位与室温结果一致。在773K发生热淬灭效应。基于Eu³⁺离子的热耦合能级547nm（⁵D₁→⁷F₁）和596nm（⁵D₀→⁷F₁）的荧光强度比与温度关系,得到了热耦合能级和差ΔE为1266.8cm^-1。在447-873K测温范围内,YVO₄:7.5%Eu³⁺的测温灵敏度在447K达到最大值2.4×10^-3K^-1。