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本文采用固态反应法成功制备了SrCu2O2、CuAlO2和CuFeO2的陶瓷靶材,并首次使用渠道火花烧蚀方法（Channel Spark Ablation,CSA）制备相应的SrCu2O2、CuAlO2和CuFeO2薄膜,对制备的靶材与薄膜,分别利用XRD、AFM等手段分析其结构和表面形貌,用Seebeck系数、Hall系统测试仪、可见光分光光度计等设备方法测试其光电性能。还以普通玻璃为基板,利用掺锌硫化铜铝（CuAlS2:Zn）化合物靶,采用渠道火花烧蚀法首次制备掺锌硫化铜铝透明导电硫化物薄膜,详细研究了基板温度、氩气分压、烧蚀源电压电流、退火等工艺参数对薄膜电学和光学性能的影响。结合渠道火花烧蚀法、反应磁控溅射方法等一系列薄膜制备工艺,尝试使用新型的透明导电CuAl0.90Zn0.10S2薄膜和IWO薄膜叠加制备了透明的薄膜二极管。研究结果表明:固态反应法获得的SrCu2O2、CuAlO2和CuFeO2陶瓷靶材均为p型导电类型;渠道火花烧蚀方法制备的相应薄膜也均为p型,其典型的电阻率分别为260Ω·cm,110Ω·cm和85Ω·cm;其中,CuAlO2薄膜具有相对较好的光学性能。采用电阻率最小的CuAl0.90Zn0.10S2靶材制备的相应薄膜为黄铜矿微晶结构。测试得出的Seebeck系数、Hall系数均为正值,表明薄膜具有p型导电类型。其最优化的薄膜电导率和载流子迁移率分别可以达到65.3 S·cm-1和5.7 cm2V-1S-1,可见光范围的平均透射率在60%以上。随着氩气压强的增大,薄膜电阻率呈凹形变化,载流子浓度呈凸形变化,而载流子迁移率则是先降低再上升。较高的基板温度对薄膜的光电性能以及结晶性的提高都有较大的帮助。烧蚀源电压的过小或者过大都不利于薄膜电阻率的降低,在-18kV左右制备出的薄膜电学性能最好。真空退火可以使薄膜的电阻率减小,而且退火温度越高、退火时间越长,薄膜电阻率就越低。本文所制备的薄膜二极管在电学测试中体现出二极管所特有的I-V特性曲线,开启电压在0.5V左右,-3到3V电压范围内的正反向电流比大于80。在可见光范围的平均透射率大于50%。基本满足透明半导体器件的光电性能要求,为后续的研究建立了良好的基础。