ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物，也是一种很重要的直接带隙宽禁带的半导体材料。由于在室温下，ZnO的禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，所以ZnO纳米材料在光催化及光电器件如发光二极管、太阳能电池、紫外探测器等重要领域被认为是最有发展前景的材料之一。ZnO纳米结构在电学、光学以及磁学等方面具有优异的性质，成为目前国内外材料研究的热点。目前，人们采用各种制备方法长出了形貌各异的ZnO纳米结构，例如纳米棒、纳米线、纳米带、纳米环等。近年来，随着核壳结构理论的成熟，人们也开始对ZnO纳米材料进行核壳结构的研究，本文在利用水热法在镀有ZnO籽晶层的硅衬底上制备出了高质量ZnO纳米棒，然后对ZnO纳米棒进行了壳层修饰，制备出了ZnO/PbS和ZnO/SnS这两种核壳结构纳米棒，深入研究了两种不同的壳层修饰对ZnO纳米棒光致发光性质的影响。本文研究的主要内容如下:　　(1)利用水热法，在不同反应浓度、不同的生长时间下长出了形貌不同的ZnO纳米棒。我们分析了ZnO纳米棒的晶体结构，研究了ZnO纳米棒的光致发光性质，简单介绍了ZnO纳米棒的生长机理。　　(2)利用离子吸附和交换的过程，制备了ZnO/PbS核壳结构纳米棒。分析了其形貌及结构特征，重点对该核壳结构的光致发光(PL)性质做了深入的研究。结果表明，ZnO纳米棒的PL强度随壳层厚度的变化而变化，薄的PbS壳层很好的修复了ZnO纳米棒的表面态，从而提高ZnO纳米棒的PL强度，但是如果进一步的增加壳层厚度，该结构就会形成一种反Ⅰ型的能带排列，从而导致PL强度的下降。　　(3)利用离子吸附和交换的过程，制备了ZnO/SnS核壳结构纳米棒，分析了其形貌和结构特性，重点对该和核壳结构的PL性质做了深入研究。结果表明，当SnS壳层很薄时，ZnO纳米棒的PL强度随壳层厚度的增加而增加，但是当SnS壳层厚度增加达到一定程度后，会形成一种Ⅱ型的能带排列，从而导致该核壳结构PL强度的急剧减小。　　在研究了上述两种基于ZnO的核壳结构纳米棒后，我们可以得到一个的结论就是，当我们用窄禁带材料(如PbS和SnS)对ZnO纳米棒做壳层修饰时，为了提高ZnO纳米棒的PL强度，我们需要的是尽可能的修饰ZnO纳米棒的表面态而不是一味的增加壳层厚度。