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本文研究了化学气相输运法生长的ZnO体单晶的的特性，并通过光学和电学等测试手段对它们的晶体质量、晶体特性和晶体缺陷等进行了分析。主要内容包括以下几个方面：
1、化学气相输运法(CVT法)法进行掺杂ZnO单晶的研究。采用加籽晶的闭管CVT法，用C(石墨)作为传输媒介，适量的掺杂杂质，通过选取适合的籽晶，在适宜的生长温度和温度梯度下成功得到了掺杂ZnO单晶。分析了CVT法的生长机理、传输效率以及温场对传输速率和晶体生长和掺杂的影响。
2、掺杂前后的ZnO单晶的特性研究。分析了对于CVT法生长了掺杂铟的N型ZnO单晶，利用X射线衍射技术、荧光光谱、拉曼光谱、光吸收谱、霍尔效应等方法分别研究了掺杂前后的ZnO单晶的生长极性、位错密度、晶格完整性、深能级缺陷、电学性质、杂质等。
3、ZnO单晶中的深能级缺陷分析和探讨。通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果，分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响。利用DLTS分析了几个ZnO样品的缺陷以及结构特性；分析了不同温度下缺陷的热不稳定性，并在掺杂和退火的实验中发现生成了一种复合的施主缺陷。