功分器是组成射频微波系统的重要元器件。随着射频微波系统不断向小型化、高频化和高集成度方向发展,对功分器的性能提出了更高的要求。微同轴T形功分器因具有体积小、频带宽、抗串扰能力强等优点而在射频微波系统中具有很好的应用前景,但其制作工艺还不甚成熟,因此本文对微同轴T形功分器的制作工艺开展了相关研究。首先根据要制作的功分器的结构特点制定了加工方案,然后针对工艺难点进行了实验研究,最后根据制定的加工方案并结合前期实验研究的结果制作了该功分器。对微电铸用AZ 50XT胶模侧壁陡直性问题开展了研究。采用“预曝光”的方法,解决了胶膜微沟道曝光过程中曝光剂量无法准确选取的问题;采用分次曝光、分次显影的方法,克服了AZ 50XT胶膜因光吸收系数过大导致的光刻困难问题;显影前,通过对胶膜进行等离子体处理,去除了胶膜表面的“钝化层”,消除了显影时出现的表面抑制效应,降低了显影的困难程度。综合采取以上措施后,制得的AZ 50XT胶模的侧壁陡直程度得到了大幅度的提高。针对后处理过程中内导体易与支撑体发生分离的问题,对内导体/支撑体的界面结合性能进行了研究。通过对内导体/支撑体结合界面的分析,发现铜种子层与支撑体之间的结合强度低是造成内导体与支撑体产生界面分层失效的原因。随后提出了通过增加钛粘附层来提高两者界面结合强度的方法,并进行了相关实验研究。实验结果表明:增加钛粘附层后,铜种子层与支撑体之间的结合强度提高了312%,证明了此种方法的可行性。为探究粘附层提高界面结合强度的机理,测量了SU-8胶的表面张力以及SU-8胶与铜、钛之间的接触角,计算了SU-8胶与铜、钛之间的粘附功。计算结果表明:SU-8胶与钛之间的粘附功大于SU-8胶与铜之间的粘附功,从粘附功角度解释了钛粘附层提高界面结合强度的原因。基于以上实验结果,制作出了外形尺寸为7.7mm×3.9mm×210μm、最小线宽为40μm的微同轴T形功分器。在制作过程中,为了能准确地测量出各层铸层的高度,增加了铸后曝光显影步骤;为解决种子层刻蚀过程中出现的刻蚀对穿问题,采取了增加掩蔽层胶膜厚度的措施;为降低制得的功分器的尺寸误差,采用了掩膜版尺寸误差补偿的方法。