【摘 要】
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作者着重研究了金属与多孔硅接触结构的光电特性,发现一些普通金属—半导体接触结构所没有的新现象,一些大家熟知的金属/半导体结的特性也出现新的特点.制备金属/多孔硅接触
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作者着重研究了金属与多孔硅接触结构的光电特性,发现一些普通金属—半导体接触结构所没有的新现象,一些大家熟知的金属/半导体结的特性也出现新的特点.制备金属/多孔硅接触结构有多种方法,除采用真空蒸发法作为对比研究的制备方法外,作者主要采用电镀法制备样品.相比于其它方法(如真空蒸发法、溅射法等),电镀法有许多突出优点.所制备的金属/多孔硅结具有良好的接触性能,其理想因子(~2)和内部串联电阻(几欧姆~几百欧姆,与制备条件有关)远小于用其它方法所制备的样品.最后,应当指出电镀法在多孔硅表面淀积金属,不但提供了一种制备具有良好接触特性的金属/多孔硅接触的较好方法,而且由于金属/多孔硅接触界面远大于其它方法所制备的结,因此引起的不同于普通金属—半导体结构的独特性能需要更深入的研究,作者的工作只是一个开端.
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