由于在全光通信系统中具备潜在的应用价值，全光缓存已经成为过去十年的研究热点。得益于硅基光子学技术——未来最具有潜力的光通信与互联平台，可以将全光缓存集成在硅基光子芯片上。目前，可集成光缓存技术已有较多的文献报道，主要集中在耦合谐振腔与光学延迟线等的研究上。耦合谐振腔在谐振点附近具有较大的群延时色散，因而这种类型的光缓存的延时带宽积受到了限制。而基于延迟线型的前馈式光缓存虽然芯片面积略大，但在延时光信号的传输性能上优于前者。本文研究分析了一种可重构的硅基前馈式光缓存，其主要由p-i-n调制型马赫-曾德尔光开关以及具有特定长度关系的波导延迟线级联构成。通过光开关切换光信号在不同长度的波导上传播，可以对光缓存的延时进行调节。然而，由于光开关的消光比有限会产生串扰影响传输信号，并且串扰与信号在不同长度的波导上衰减也不尽相同，使得前馈式光缓存的最大延时以及传输性能受到了限制。因此，本文还提出了一种在波导延迟线上加入可调光衰减器抑制串扰并改善光缓存延时性能的方法。基于对前馈式光缓存的分析与讨论，本文对一个7级结构的光缓存进行了仿真。仿真结果表明，在未使用可调光衰减器的情况下，对于波长为1550nm的40Gbit/s不归零的213-1伪随机序列的光信号，其延时范围仅为8-101bit，可调延时步进为1bit。通过在光缓存最后两级的短波导上加入可调光衰减器对串扰进行10dB的衰减后，各延时通道下的光信号与串扰的功率比的平均值达到了15.7dB，从而使得前馈式光缓存对输入信号的延时范围扩展至8-135bit，并达到其设计的最大延时范围。