【摘 要】
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该文采用理子限制发光中心模型（QCLC）的观点,对纳米硅及多孔硅的光致发光（PL）作出解释,从而解决目前量子限制模型与实验事实间的种种矛盾。最近以来,QCLC模型在文献中越来越多的
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该文采用理子限制发光中心模型（QCLC）的观点,对纳米硅及多孔硅的光致发光（PL）作出解释,从而解决目前量子限制模型与实验事实间的种种矛盾。最近以来,QCLC模型在文献中越来越多的重视,来自不同研究小组的实验结果都明确地支持QCLC机制。第一章介绍量子限制发光中心（QCLC）模型提出的实验背景和基本思想。第二章是QCLC模型的理论框架。第三章侧重于纳米粒子尺寸与PL谱峰位能量的关系。第四章通过求解Pauli Master方程确定电子能级的占据几率,在此基础上计算内部和外部复合的PL谱。第五章用QCLC模型解释了掺有Er和纳米硅的SiO<,2>薄膜的PL实验结果,以及两个PL特征峰的来源。第六章重点考察氧化硅层对纳米硅PL谱的作用。
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