射频磁控溅射法制备VO_2热致变色镀膜玻璃及其表征

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VO_2在68℃附近能发生半导体≒金属相变。VO_2薄膜的光电性质、特别是近红外光透过率在相变点发生突变,因此VO_2成为了一种可以根据温度控制太阳光透过率的智能窗镀膜材料。本文采用反应磁控溅射法,分别利用还原退火及直接溅射沉积两种方法尝试制备了VO_2薄膜,并最终在较低沉积温度下(300℃)成功制备出了具有良好相变性能的VO_2薄膜,这是本文的独到和创新之处。本文重点研究了氧分压变化及热处理条件对薄膜的结构与性能的影响,并讨论了玻璃基片上预镀SiO_2膜对热处理过程中薄膜结构及性能的影响
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