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本文采用磁控溅射方法制备了TbFeCo/Si和Ag/TbFeCo/Si系列薄膜并对溅射工艺进行了详细研究,分析了TbFeCo薄膜的生长机理,还对其光学性质、磁性质和磁光性质进行了研究。同时还用反应溅射方法制备了用作保护膜的AIN、SiN薄膜,并对其光学性质进行了研究。首先采用X射线能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)分析了溅射气压对TbFeCo薄膜结构和成分的影响,结果表明,溅射时Ar气压强对TbFeCo薄膜的成分有明显的影响,当溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的成分与靶材成分最