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稀磁半导体材料因其同时具有自旋和电荷两种自由度而成为近年来的研究热点。通过掺杂过渡金属元素,In203基半导体会具有良好的电磁光性能,而且易于和多种半导体材料实现集成化,在下一代多功能器件中必将有极大的应用前景。本文中采用高温固相烧结的方法,制备了Mo掺杂In203稀释磁性半导体块体,并对固相烧结的特征阶段和原理进行了简单介绍。后用制得的块体作为蒸镀源材料,采用玻璃片作为基底材料,用电子束真空蒸镀的方法,通过改变基底温度、蒸镀时间、蒸镀气氛、Mo掺杂量等参数制备出了一系列的Mo掺杂In20