该论文选用自蔓延高温合成的AlN粉体为原料,利用空心阴极等离子技术,用Y<,2>O<,3>—CaO—Li<,2>O这一三元系统作为烧结助剂,制备出了致密度高,导热性能好的AlN陶瓷.通过对圆筒形空心阴极放电特性的研究,确定把空心阴极作为该课题AlN陶瓷的烧结方法,指出了空心阴极运用于陶瓷烧结的可行性和技术优势.通过热力学分析和空心阴极的烧结试验,确定了合适的烧结助剂,指出了烧结助剂的促烧机理,探索了不同烧结工艺参数对制备高性能AlN陶瓷的影响.通过对烧结体微观结构的观察,指出了微观结构对AlN陶瓷热导率的影响.AlN陶瓷的空心阴极的烧结试验研究结果表明:空心阴极是烧结AlN陶瓷的有效烧结方法,Y<,2>O<,3>—CaO—Li<,2>O是AlN陶瓷空心阴极效应烧结致密化的有效烧结助剂.该文对Y<,2>O<,3>—CaO—Li<,2>O这一助剂,在烧结助剂数量、烧结温度、保温时间和其致密度的关系进行了系统的研究,得到了最佳的工艺参数.实验表明:在1700℃,保温3小时的烧结条件下,添加5.5wt﹪人Y<,2>O<,3>—CaO—Li<,2>O(wt<,Y203>:wt<,L120>:wt<,Cao>=44:6:5)烧结体具有最高98.88﹪的相对密度,热导率为93.8W/(m.K).SEM表明:晶粒生长完善,大部分显多边形形状,晶界相和气孔少,AlN相是连续的且紧密接触,断裂形式为穿晶断裂.TEM表面:晶界相少,且基本上都存在于三角晶界.