共振电子复合过程,是指一个自由电子被靶态离子共振俘获形成复合离子的共振激发态,随后通过辐射衰变放出光子的过程。共振电子复合是高温等离子体中的重要动力学过程,影响着等离子体的电离平衡以及光谱特性。该过程产生的伴线光谱为等离子体的温度、密度诊断提供了重要手段,相关高精度的原子参数在各种等离子体光谱的模拟和状态的诊断中有重要应用。近年来,随着重离子储存环和电子束离子阱等实验装置的改良和测量技术的提高,实验上人们已经能够测得一些高精度的高电荷态离子的共振电子复合谱,包括一些高阶过程的贡献也可以被分辨。针对天体物理和实验研究目前感兴趣的高电荷态硅离子以及少电子类硼体系,本文采用基于相对论组态相互作用理论方法的Flexible Atomic Code（FAC）程序包,系统研究了高电荷态硅离子(Si⁹⁺)和类硼等电子系列离子的共振电子复合过程及其辐射X射线谱的极化性质。主要包括以下两个工作:第一,研究了Si⁹⁺离子基态(1s²2s²2p_1/2 ²P_1/2)和亚稳态(1s²2s²2p_3/2 ²P_3/2)的共振电子复合过程及其辐射跃迁光谱的极化性质。计算中共振激发态包括了Si⁹⁺离子所有可能的共振态,辐射跃迁末态包括了1s²2s²2p²,1s²2s2p³和1s²2p⁴态。给出了双电子复合（DR）、三电子复合（TR）和四电子复合（QR）通道对应的共振能、共振强度以及TR/DR和QR/DR强度比,本文的计算结果与已有的理论结果进行了比较,发现符合得很好。对来自基态和亚稳态共振峰和截面进行比较,发现亚稳态和基态的共振强度在数量级上相当,共振峰主要分布在共振能为1430-1456eV之间,来自基态的类硼Si⁹⁺离子高阶TR过程的贡献非常重要,在研究中不可被忽略。进一步计算给出了共振电子复合过程辐射光子的取向参数A₂、各向异性参数α₂^df和线性极化度,发现有些辐射光子的线性极化度很大,如[1s2s²2p_1/22p²]₁→[1s²2s²2p²_1/2]₀跃迁,实验上易于观测;而有些辐射光子的线性极化度很小,如[1s2s²2p_1/22p²]₁→[1s²2s²2p²_3/2]₂跃迁,需要用高分辨率的实验装置观测。这些精确的共振强度、极化度等数据结果对天体等离子体光谱认证辨认以及温度、密度的精密诊断都有重要意义。第二,研究了类硼等电子系列离子（Z=10-54）基态(1s²2s²2p_1/2 ²P_1/2)的K壳层共振电子复合过程及其辐射光谱的极化性质。计算得到了类硼等电子系列离子共振电子复合过程所有共振态的能级、辐射跃迁几率和Auger几率,以及DR、TR和QR过程的共振能、共振强度和辐射伴线的极化度。其中,本文计算的Ar¹³⁺,Fe²¹⁺,Kr³¹⁺,I⁴⁸⁺和Xe⁴⁹⁺离子的部分结果与国际上最新的EBIT测量结果进行了比较,符合得很好。探究了类硼等电子系列DR,TR和QR过程的共振电子复合强度随原子序数的变化,发现低Z体系中,TR的贡献很大,随着原子序数增大强度先增加后减小,且在Z=23附近发生不规则变化,经分析这种突变是由于[1s2s²2p³_3/2]₂（TR）和[1s2s²2p_1/22p²_3/2]₂（DR）两个共振态之间的强组态混合所致。对于类硼离子共振电子复合过程辐射光子的极化度,发现随着原子序数Z增大,共振态[1s2s²2p_1/22p²]₁辐射光子的极化度发生了极化增强现象,且强组态相互作用也导致[1s2s²2p³_3/2]₂和[1s2s²2p_1/22p²]₂两个共振态辐射光子的极化度在Z=23附近发生了不规则变化。这是对类硼离子辐射光子的极化度首次系统的研究。