光刻工艺作为半导体制造技术的核心工艺,是整个IC制造技术向前发展的驱动力。随着IC产业进入22nm时代,不断缩小的工艺尺寸对光刻套刻性能提出了非常高的要求。对于一些产品的关键工艺层,2-3nnm的套刻偏差,将导致芯片性能直接下降甚至失效。因此,优化光刻套刻性能,是研究光刻工艺的重要课题之一。本文从套刻工艺的原理及应用入手,结合实际的工艺测试数据,阐明了套刻工艺对产品良率的影响,同时也体现了套刻优化需求的迫切性。然后,通过鱼骨分析的方法,逐一分析了影响光刻套刻的各种因素,获得了提升套刻精度和稳定性的两个主要方法,即控制设备套刻稳定性以及改善套刻补偿的方式。最后,论文分别对套刻标准栅格图法及套刻基准控制法,进行了实践应用评估。两种优化方法在应用实践中,均体现了较好的优化效果,套刻性能优化均超过10%。通过对深亚微米光刻工艺的探索研究,找到了光刻套刻性能的优化方法,并在实践运用中,取得了预想的成果,为光刻工艺未来的发展提供了经验积累。