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太阳能电池作为一种新型能源,已经得到了长足发展,由于薄膜太阳能电池诸多优点,如成本低、工艺简单、原料廉价等,备受关注。一些薄膜太阳能电池已经投入工业生产,如CuInSe2等薄膜太阳能电池,其中CdTe/CdS薄膜太阳能电池是薄膜太阳能电池中应用前景较好的一种。CdS作为Ⅱ-Ⅵ族重要的半导体材料,很多人已经对CdS的制备方法、形貌、性能等进行了广泛的研究,使其在光、电、磁等领域有了很好应用。本文采用了一种新的常压热溶剂法研究CdS纳米晶的合成,采用XRD、SEM、EDS、HRTEM、UV-Vis、FT-IR等手段对合成产物进行测试表征。本文通过改变硫源、溶剂、注入顺序、温度等对合成的CdS纳米晶的晶型、形貌、组成以及分散性等进行观察,同时也研究了是否添加络合剂对合成产物的影响,并通过表面活性剂对CdS纳米晶进行改性。结果表明,硫源的注入顺序和温度能够改变CdS纳米晶的晶型,且不同的硫源会影响合成产物的结晶性。在乙二醇体系中,以硫代乙酰胺和硝酸镉为前躯体,将镉源注入硫源,在120℃-190℃范围内所得产物均为闪锌矿CdS纳米晶；在复合溶剂中210℃下将硫源注入镉源时,硫代乙酰胺源所得产物为混相,而硫脲源所得产物为纤锌矿；在乙二醇体系中,以硫脲和硝酸镉为前躯体,在190℃下将硫源注入镉源,回流0.5 h,无论有无络合剂参与均合成出纤锌矿结构的CdS纳米晶,且化学计量比接近1：1,但有络合剂参与的合成产物粒径更小。通过引入PVP分散剂,可使CdS纳米晶粒子能够在无水乙醇中形成稳定的胶体溶液。采用提拉法制膜,在450℃下热处理所得到的薄膜煅烧前后颗粒尺寸有所增加。通过UV-Vis光谱可以看到,在350 nm-530 nm之间吸光强,在530 nm-800 nm之间透光强,这比较符合做太阳能电池的窗口层材料,通过外推的办法估算出有络合剂参与合成、拉膜次数为15次的薄膜禁带宽度约为2.31 eV,拉模次数为50次的薄膜禁带宽度约为2.34eV;无络合剂参与合成、拉模次数为40次的薄膜禁带宽度约为2.35 eV。