二维硒化铟因其优良特性而在光电领域大放异彩,如作为阵列结构器件、柔性电极和宽带光谱高速响应器等方面都能体现其价值。但是此类研究主要集中在可见光和近红外光谱范围,其非线性特性及中红外波段下的响应却鲜被研究。本文旨在研究二维硒化铟在红外波段的光学特性,分别建立了Z扫描系统和光谱成像系统,研究了该样品的非线性特性和光谱成像特点。研究结果表明二维硒化铟在近红外波段具有非线性效应,在宽带中红外波段内具有很强的电子转移能力,支持了这种材料在红外多功能器件微型化等方面的应用价值。本文创新点在于非线性测量系统及红外成像构建的编程控制设计,以及对液相剥离法制备的不平整样品进行测量分析。本文主要研究内容如下:（1）研究了二维硒化铟在不同波段下的非线性光学特性。自行搭建Z扫描系统,并进行软件编程对系统进行测量控制和数值计算。研究结果表明二维硒化铟在10649)8)波长激光泵浦开孔测量中受载流子吸收效应出现反饱和吸收现象,闭孔测量中出现自散焦效应非线性效应引起的“先峰后谷”透射率变化曲线;在15609)8)波长激光泵浦实验中,则仅出现非线性折射现象无出现非线性吸收现象,证明15609)8)远超越样品厚度带隙决定的截止吸收波长,使得无非线性吸收效应产生。（2）研究了不同厚度的二维硒化铟在宽带中红外波段的光谱特性,并对其透射光谱和反射光谱进行分析。分析光谱得出二维硒化铟与所选取的高阻硅基底发生互相作用效应的结论,作用中硒化铟的载流子吸收低能量中红外光后转移至硅片中,导致硅片的透射率增强,透射增强最大值达18.5%。并且基于透射和反射谱计算得到得电导率在600（88）-1～4000（88）-1波数范围内的0～38)/8)间变化。（3）研究了不均匀二维硒化铟样品的光谱成像特性。基于现有光谱仪采集到的透射和反射谱数据进行重组、计算和优化分析,获得宽带中红外波段下的二维硒化铟透射和反射谱三维成像图,展现样品因厚度不均匀导致的局部光谱变化。同时计算得到电导率三维成像图,展现样品因厚度不均匀导致的局部电导率变化。这部分研究为二维材料或超薄样品的均匀性检测提供了技术支持。