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环境污染和能源危机是现代社会面临的严峻问题,开发利用可再生的清洁能源成为全人类急需解决的课题,太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件。目前产业化的太阳能电池主要是硅系列太阳能电池,为降低成本和提高转换效率,硅太阳能电池走向薄膜化,而硅氢薄膜在硅薄膜太阳能电池材料中有着重要地位。本文用射频磁控溅射法在中纯单晶硅基底上制备硅氢薄膜,应用激光喇曼(Raman)谱和(或)X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、干涉显微镜等仪器对薄膜进行表征,研究了不同溅射工艺参数对硅氢薄膜沉积