工业领域的蓬勃发展,致使工业废气的排放成为威胁人类社会存在的重要因素。其中,二氧化硫（SO2）作为一种典型有毒有害的工业废气,会对人和环境产生极大的危害。因此,对SO2气体传感器进行深入研究是非常有必要的。金属氧化物半导气体传感器（MOS）因其价格低廉、灵敏度高、响应/恢复速度快、稳定性好等优点被广泛用作敏感材料用于各种气体的检测。SnO2因其高电子迁移率、低成本和良好的化学性能已被证明是一种最有前途的商业用半导体气敏材料,用于检测还原/氧化性气体。然而,在检测SO2气体的过程中,SnO2还存在一定的局限性,如:工作温度过高、响应值较低、气体检测下限过高等。本文针对以上不足开展研究,具体内容如下:（1）采用水热法制备出花状SnO2纳米片,纳米片大的比表面积和明显的边缘有利于气体吸附,从而降低传感器的检测下限。通过调控水热工艺中热处理温度（400℃、500℃、600℃）制备出了三组不同的花状SnO2纳米片,结果表明,当热处理温度为500℃时,纳米片网络间形成的孔洞有利于气体的传输,因此表现出最佳的气敏性能。该传感器在340℃时对于SO2气体的检测下限低至1 ppm,响应值为1.09,对5 ppm的SO2气体响应和恢复时间分别为18 s和23 s。（2）为了改善纯SnO2气体传感器工作温度高的问题,采用水热法制备Cu-SnO2纳米片,通过调控Sn Cl2与Cu Cl2的质量比成功制备出三组不同比例Cu掺杂的纳米片（1%Cu-SnO2、3%Cu-SnO2、5%Cu-SnO2）。结果表明,Cu2+取代到Sn4+的位置,导致SnO2晶格发生畸变,从而改变材料中载流子浓度、表面缺陷、表面活性等参数。其中,3%Cu-SnO2样品保留了具有相互连接结构的纳米片框架,大量的孔隙和丰富的边缘位点,为吸附活性位点和开放的气体传输通道提供了有利场所,因此该气体传感器具有最优的气敏性能。相比于纯SnO2气体传感器,Cu-SnO2气体传感器的最佳工作温度降至300℃,对于1 ppm SO2气体的响应值为1.41。（3）为了提高Cu-SnO2气体传感器对SO2气体的响应值,采用水热法制备Pr-SnO2纳米片,通过调控Sn Cl2与Pr（NO3）3的质量比制备出了三组不同比例Pr掺杂的纳米片（1%Pr-SnO2、3%Pr-SnO2、5%Pr-SnO2）。结果表明,Pr3+的掺入,抑制了SnO2晶体的生长,造成了Pr-SnO2纳米晶体尺寸的减小,进而提供更多气体分子的吸附位点和扩散途径。其中,1%Pr-SnO2样品表现为完整的纳米花簇状,其大的比表面积和大量的孔洞有利于提高气敏性能。因此,1%Pr-SnO2气体传感器的气敏性能最优异,在工作温度为300℃时,对1 ppm的SO2响应值达1.8,是纯SnO2气体传感器的1.65倍。