氧化物半导体作为一类重要的半导体材料具有广泛的应用，比如气敏传感器、太阳能电池、可充电锂电池、光催化以及平板显示器的驱动元件等。然而多数氧化物半导体呈现本征n型电导。尽管研发获得了一些p型氧化物半导体，但是和n型氧化物相比，其研发强度和性能还相差甚远。这种不均衡现象已经严重阻碍了基于氧化物半导体的互补型电路、器件的发展与应用。氧化亚锡（SnO）作为一种本征p型氧化物半导体材料，获得了大量研究，比如作为锂电池阳极材料、p型或双极性薄膜晶体管以及p-n结中的p型半导体材料。p-n结是众多半导体器件中的“基本骨架”，比如太阳能电池、发光二极管、光电探测器以及双极性晶体管等。本论文围绕SnO/Si异质p-n结的制备及性能展开研究，包括以下内容：（1）探索出了采用电子束蒸发结合紫外光刻技术制备异质p-n结的方法，成功制备出了具有明显整流效应的SnO/Si异质p-n结。（2）研究了退火温度及气氛、电极材料种类以及p型SnO薄膜厚度等参量对该p-n结电学性能的影响。（3）通过深入分析SnO/Si异质p-n结的电流—电压及电容—电压特性，确定了器件的电学参数值，包括开启电压、整流比、串联电阻、理想因子以及内建电场。其次，基于紫外光电子能谱测得SnO薄膜的功函数为4.3eV，根据电容-电压特性测试数据计算得到SnO薄膜相对介电常数为18.8±1.7。最后，构筑了SnO/Si异质p-n结的能带图，其可较好地解释了器件的电流-电压特性。