近年来,微机电系统（MEMS）在微电子、通讯、医学和先进制造等领域取得了广泛地应用。在这种情况下,构件的尺度和晶粒尺寸处在同样的量级之下,此时,材料的力学性能表现出很强的尺寸效应和时空不连续性。位错作为晶体材料塑性变形的基本载体,因此有必要对亚微米尺度下材料塑性变形过程中位错演化机制进行分析。为了研究亚微米材料中在这些情况下的力学性能以及位错的演化,应用离散位错动力学做了以下研究。本文通过分析位错与晶界交互作用,基于此提出了位错-晶界交互模型,然后将该模型植入离散位错动力学软件ParaDis中,为亚微米多晶材料的三维离散位错动力学模拟提供了有效的计算工具,对进一步了解多晶材料塑性变形的内在机制具有积极意义。在研究过程中发现,晶体中的初始位错密度以及变形过程中受到的应变速率都对材料的力学性能有着很大的影响。在恒定的应变速率作用下,随着初始位错密度的增加,材料的强度先降低,后增加,其中临界初始位错密度为10¹²m^-2;在初始位错密度较低的情况下,随着应变速率的增加,材料的强度增加,在初始位错密度较高时,随着应变速率的增加,材料的强度基本不发生变化,材料的塑性变形主要是单滑移机制。通过对亚微米双晶的离散位错动力学模拟,发现存在一个临界取向,θ_mis,大于该角度时,位错更加容易沿着晶界滑移;低于该角度时,位错更趋向于穿透晶界。当晶粒的取向差高于该临界值时,随着θ的增加,强度缓慢提高,在晶粒之间的取向差从0增加到θ_{m is}时,材料的强度迅速提高,并且临界角度θ_mis约等于15°。