基于STI（Shallow Trench Isolation）的LDMOS（Laterally Diffused Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistor）器件由于耐压高、集成度高、制备工艺与低压MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）器件兼容等优点而广泛应用于电源管理、显示驱动、数字媒体和混合数字芯片等方面。LDMOS器件的性能及稳定性逐渐成为研究的重点内容,本文对LDMOS器件的性能及稳定性方面进行深入的研究,提高器件性能和稳定性。具体研究内容如下:（1）提出了一种提高基于STI的LDMOS器件栅氧化层氧化温度消除器件中位错（Dislocation）的方法,并通过微观分析方法对器件内部及表面的位错进行观察和分析,同时对器件的电性能进行分析,研究位错消除对LDMOS器件电性能的提升。研究表明,通过提高栅氧化层氧化温度可以大幅度减少LDMOS器件中的位错,当栅氧化层氧化温度升高到A++时,LDMOS器件中的位错被完全消除;位错导致LDMOS器件漏电流和击穿电压的恶化,消除位错后N型器件和P型器件的漏电流减小幅度分别达到79.42%和57.09%,击穿电压也有一定程度的提高。（2）在上述研究基础上改善基于STI的LDMOS器件工作的稳定性,提出了一种优化N型LDMOS器件漂移（Ndrift）区域离子注入条件延长器件热载流子注入（Hot Carrier Injection,HCI）效应测试寿命、改善LDMOS器件HCI效应的方法。研究表明,减小N型LDMOS中Ndrift1区域浓度的同时增加Ndrift2区域浓度大幅度减小了LDMOS器件衬底电流,HCI寿命测试结果显示优化后的LDMOS器件的HCI测试寿命明显增加,以上结果表明基于STI的LDMOS器件的HCI效应得到明显改善。（3）在改善N型LDMOS器件热载流子注入效应的基础上提高器件的电性能,进一步研究Ndrift区域离子注入条件对N型LDMOS器件电性能的影响。研究表明,Ndrift区域离子注入浓度的减小改善了NLDMOS器件漏电效应,漏电流下降幅度达到44.08%,同时器件的饱和电流也存在下降的趋势,下降幅度达16.01%。阈值电压和击穿电压随Ndrift区域掺杂浓度变化幅度较小。