【摘 要】
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优化多晶硅的绒面结构是太阳能电池最关键的技术之一。目前，主要用HF/HNO_3/H_2O系的酸腐蚀溶液对多晶硅进行各向同性化学腐蚀，使硅表面密布陷阱坑以达到减反射的绒面，本文主要研究硅片表面温度场的分布对多晶硅酸腐蚀绒面形貌蚀的影响。本文通过热传导方程，根据不同的边界条件，计算了多晶硅酸腐蚀反应时不同条件下硅片陷阱坑周围温度场的分布。理论计算结果表明：多晶硅在与酸的腐蚀过程中，如果腐蚀液的温度过高
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优化多晶硅的绒面结构是太阳能电池最关键的技术之一。目前，主要用HF/HNO_3/H_2O系的酸腐蚀溶液对多晶硅进行各向同性化学腐蚀，使硅表面密布陷阱坑以达到减反射的绒面，本文主要研究硅片表面温度场的分布对多晶硅酸腐蚀绒面形貌蚀的影响。本文通过热传导方程，根据不同的边界条件，计算了多晶硅酸腐蚀反应时不同条件下硅片陷阱坑周围温度场的分布。理论计算结果表明：多晶硅在与酸的腐蚀过程中，如果腐蚀液的温度过高，则会导致硅片表面和陷阱坑底部的温度差小，从而使硅片在与酸的反应过程中，使硅片表面的陷阱坑向四周
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