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氮化钛是过渡金属氮化物,它由离子键、金属键和共价键混合而成,它具有高强度、高硬度、耐高温、耐酸碱侵蚀、耐磨损以及良好的导电性、导热性和优良的光学性能等一系列优点,广泛用于制备金属陶瓷、切削工具、模具、熔炼金属用坩埚、熔盐电解金属用电极的衬里材料、电触点和金属表面的被覆材料以及太阳能选择性透射膜。本文采用直流反应磁控溅射法在P型Si(111)基底上制备TiN薄膜,采用单参数变化法研究工艺参数对所制备的TiN薄膜的结构和电学性能的影响。通过正交实验设计,研究各参数对薄膜导电性能的影响程度,并