锑化物是一类窄带直接带隙III V族化合物半导体，其独特的光电性质引起人们极大的研究兴趣。在红外探测、热光伏、超高频率和超低功率器件等领域中有广泛的应用前景。但锑化物衬底价格高、半绝缘衬底难制备、晶格常数大导致其难于异质外延，其应用因此受到了很大限制限制。本文使用MOCVD技术研究了GaSb在GaAs衬底上的成核特性；研究了生长参数对GaSb/GaAs薄膜的影响，制备了优质的GaSb薄膜；研究了生长参数对制备InSb/GaSb量子点的影响。GaSb/GaAs成核特性研究以GaSb初始生长阶段为研究对象，以经典成核理论、流体力学、分子动力学等理论分析了成核温度、成核压强以及有机源气相摩尔比对GaSb晶核的密度、尺寸以及尺寸均匀性带来的影响。分析表明成核温度对GaSb晶核特性的影响最大。GaSb/GaAs薄膜的生长研究以典型生长条件摸索入手，进而设计正交实验，以统计理论计算GaSb/GaAs薄膜的最优生长条件。并研究了外延生长条件对薄膜形貌的影响。InSb/GaSb量子点的制备从生长时间及源流量选择的讨论开始，之后分析了生长温度、生长压强及有机源气相摩尔比对量子点形貌的影响,最后通过生长过程的控制，以类原子层沉积的方式优化，获得了高密度的InSb/GaSb量子点。