本文针对当前ZnO研究工作中高质量的p型样品难以实现这一关键问题，以氮掺杂的p型ZnO为例，通过基于密度泛函理论的第一性原理计算，从理论上寻找导致p型ZnO样品电学性质不稳定的根本原因，并提出了几种掺杂方法，为实验上制备稳定的p型ZnO薄膜材料提供理论依据。具体研究内容如下：　　 (1)V族受主在ZnO中的能级位置一直是一个具有争议性的问题。本文用4096个原子的超大原胞对受主离化能做了大规模的LDA计算，给出了相对确切的受主能级位置，得出受主No在ZnO中是深能级受主并且可能是导致p型样品电学性质不稳定的主要原因之一的结论；　　 (2)结合“掺杂极限法则”，并通过分析ZnO的分波态密度，我们得出导致在ZnO中受主杂质离化能高的根本原因是ZnO的价带顶主要由O的2p轨道构成。利用“补偿共掺杂的”方法，通过分析掺杂元素的原子轨道能级，我们选择Zr和C作为共掺杂的施-受主元素，No在ZnO∶(Zr+C)体系中的离化能为0.129 eV；　　 (3)从理论上研究了将Mg合金到ZnO对氮受主在ZnO中形成能和离化能的影响。结论如下：Mg的引入可以降低氧元素的化学势，从而提高N受主在ZnO中的固溶度；把Mg合金到ZnO中主要是降低了合金的价带顶位置从而使得No受主的电离能增加，与实验测量结果一致；　　 (4)从理论上研究了通过本征点缺陷和外加掺杂物实现ZnS“双极性掺杂”的可行性，并与ZnO的掺杂情况做了比较。我们发现在ZnS中也同样存在“掺杂非对称”的现象，这与“掺杂极限法则”是一致的。