光量子阱是将一种光子晶体插入到另一种具有不同能带结构的光子晶体中所构成。由于阱区能级与垒区能级的不同,光子在光量子阱结构中的状态与简单的周期结构相比有较大的不同,使其具有特殊的光子性能。本文在（AB）_m（CD）_n（BA）_m形式光量子阱研究的基础上对（AB）_m（ABBA）_n（BA）_m形式一维光量子阱滤波性能进行了系统的研究,主要内容包括:1、利用传输矩阵法,对构成一维光量子阱的势垒和势阱光子晶体（AB）_m,（BA）_m和光子晶体（CD）各自的性质进行了简单分析,得出了构成一维光量子阱的条件。对于（AB）_m（CD）_n（BA）_m形式光量子阱,固定光量子阱垒层光子晶体（AB）_m（BA）_m的重复周期数m,改变阱层光子晶体（CD）_n重复周期数n,得出了在中心波长λ₀的两侧对称分布着两套结构和特点相同的透射峰,透射峰的条数与阱层光子晶体（CD）_n的重复周期数n有关,且透射峰的峰值、禁带宽度等也随着改变。2、在前面的基础上引入负折射率材料讨论了含负折射率材料的光量子阱结构的透射特性。阱层光子晶体（CD）重复周期数n为奇数时,光量子阱结构的透射谱中只在中心频率处出现一个局域态;n为偶数时,阱中出现了两个关于中心频率处对称的局域态,且相应的透射峰的峰值禁带宽度等也随着改变。并指出他们在光子晶体滤波器光开光等器件上的简单应用。3、对（AB）_m（ABBA）_n（BA）_m形式一维光量子阱各个参数进行了多方面的研究,研究结果表明:中心波长确定的情况下一维光量子阱垒区和阱区不同周期数、介质A和介质B不同高低折射率比都会对该结构的禁带宽度和透射率影响很大,而选取不同的中心波长又会影响光量子阱的带隙位置。为了制作更精密的光学开关、光滤波器等光学器件,综合考虑这些因素的影响是十分必要的。