功率半导体器件(Power semiconductor Device)是用于电能变换和电能控制的大功率电子器件。它是确定电子系统的效率、规模、成本的重要组成部分,是电力电子技术的基础和龙头。这其中,绝缘双极晶体管IGBT在过去的30年里无疑是最成功的具有创新性的功率晶体管。IGBT器件以其独特的结构,易于控制,成本较低,并且坚固耐用。IGBT器件被广泛的应用在消费,工业,交通,照明,以及医疗设备等领域。本论文主要对IGBT的动静态测试和基于电磁炉的应用进行了研究。论文首先研究了IGBT的发展和工作原理,对IGBT的发展,IGBT的分类和IGBT的主要应用做了一个综述,然后讨论了IGBT的工作原理和等效电路,以N型IGBT为例子对IGBT的原理做了详细的分析,从物理和电路级别详细阐述了其基本原理。对IGBT的各类型等效电路进行了深入的研究。论文后面对IGBT器件的静态特性和动态特性分别进行了研究,静态特性主要研究IGBT器件的转移特性和输出特性,采用贝岭公司自己生产的20A,600V耐压的IGBT管子BLG20N60进行转移特性的测试。动态特性主要研究IGBT在开关过程中的上升时间,下降时间和栅电荷。测试使用手工搭建的电路板,得出这款IGBT器件的开启时间在45ns左右,其中延迟为18ns,上升时间为27ns；关闭时间在97ns左右,其中延迟为56ns,下降时间为41ns,平均Ic电流为10.3A。论文最后对IGBT的建模和电磁炉的应用进行了深入的研究。在基于上海贝岭公司的实验室设备和IGBT的动态特性测试基础上,探究IGBT在电磁炉应用中容易被击穿的内在原因。介绍了IGBT的建模,从数学方程方面对IGBT的建模进行了推导,进一步介绍了IGBT基于PSpice仿真的方法。对IGBT基于电磁炉的应用进行了系统的分析和仿真测试,给出仿真结果,测试结果,对比分析结果,得出结论。本文研究结果表明,对于实验所使用的IGBT器件,它的上升时间大约为600-800ns,下降时间为520ns,一个周期总时间为50us。IGBTVCE的幅值大约为1050V,Ic幅值大约为45A,时间为23.5us。进一步发现,瞬态冲击电流是使IGBT器件击穿的最主要因素之一。