该论文系统地研究了多孔硅、含纳米硅的氧化硅薄膜,和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光.主要结果有:1.超临界干燥方法处理的多孔硅:在〈100〉和〈111〉硅衬底上,用超临界干燥方法制备了超高多孔度的多孔硅(多孔度大于90%),并对其光致发光和光致发光激发进行了研究,发现光致发光峰位几乎不随多孔度的增加而蓝移,这与多孔硅发光的量子限制模型的预期相矛;2.多孔硅发射蓝光的机制:对发射蓝光的多孔硅和氧化硅作了光致发光和光致发光激发的对比研究;3.富硅氧化硅薄膜的光致发光:以Si-SiO<,2>为复合靶,采用磁控溅射方法制备了富硅程度不同(硅在复合靶中面积为0%-30%)的氧化硅膜;4.富硅氧化硅膜光致发光谱的伽玛射线辐照效应:首次测量到伽玛射线辐照在以富硅二氧化硅膜的光致发光谱中诱生出了一个新的峰位位于580nm的发光带,并获得了富硅氧化硅膜的光致发光谱中各发光峰的峰位均不随测量温度上升而改变的实验结果;5.含纳米锗粒的氧化硅薄膜的光致发光:以Ge-SiO<,2>为复合靶采用磁控溅射方法制备了含纳米锗粒的氧化硅薄膜.