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自从1976年[1]被发现以来,混合物半导体CIS(CuInSe2、CuIn(SxSe1-x)2、CuInS2)就作为当今热门的太阳能材料而广受关注。作为黄铜矿相的半导体,CuInSe2、CuIn(SxSe1-x)2、CuInS2分别具有从1.04eV到1.55eV的带隙宽度区间,而最适合吸收太阳光的带隙宽度是1.45eV,所以CIS很适合做高效率太阳能电池的材料。另外,CIS还具有长期稳定、无毒等优点。本论文研究的是溶剂热法制备的CIS。溶剂热法制备的CIS纳米颗粒可以制备成电池器件,目前已经可以做到6.7%的效率[2]。不同于传统的制备CIS电池的真空法,诸如真空蒸镀法[3-5]和溅射法[6-11],溶剂热法具有相对简单的制备过程和低廉的成本,适合做薄膜太阳电池的大规模工业化生产。溶剂热法制备CuInSe2、CuIn(SxSe1-x)2、CuInS2薄膜的具体工艺稍有不同。CuInSe2和CuInS2都可以用溶剂热法直接产生,然后分别经硒化和硫化后制成CuInSe2和CuInS2薄膜。CuIn(SxSe1-x)2有两条工艺路径,一条是先用溶剂热法制成CuInSe2粉体,涂膜后硫化制成CuIn(SxSe1-x)2薄膜。另一条是用溶剂热法制备CuIn(SxSe1-x)2粉体,然后硒化或硫化制成薄膜。本论文只研究了溶剂热制备CuIn(SxSe1-x)2粉体,没有研究后期成膜的过程。影响溶剂热法产物的主要因素有前驱溶剂的元素比例,高温反应的温度,以及反应的时间。通过调节这三个要素,不但可以控制反应产物的质量,还可以控制CuIn(SxSe1-x)2中S和Se的元素比例,制备相应的CuIn(SxSe1-x)2粉体。在粉体成膜方面,主要影响因素为硒化或硫化的时间,以及硒化或硫化的温度。实验发现,薄膜结晶度,致密度,均匀度,以及CuIn(SxSe1-x)2薄膜的S/Se比例,都受到硒化或硫化温度和时间的控制。通过扫描电子显微镜（SEM）、电子能谱（EDS）、XRD以及Raman等测试仪器,对薄膜的性质进行了表征。