在各种传感技术检测磁场的应用中,霍尔传感器是最普遍和最常用到的。在一些场合中，霍尔传感器完全取代了机械接触开关。全球每年有数以亿计的霍尔传感器生产出来被使用在各种各样的应用上,比如电脑、汽车、工业控制和消费类设备等。基于上海新进半导体工厂1.0u CMOS混合信号工艺，本文设计了一种双磁极霍尔开关电路。足够的南极或北极磁场强度将会使输出管打开。如果所加磁场磁通密度大于操作点(BOP),输出将被打开；如果所加磁场磁通密度是不到释放点(BRP)，输出将被关闭。输出结构是open-drain类型,通过电阻上拉电压可以很简单方便的与TTL电路或CMOS逻辑之间连接。此外，睡眠唤醒逻辑模块可以控制电路的睡眠和唤醒，从而减小电路的平均功耗。本设计中霍尔电路集成了一个电压调节器、带动态补偿消除功能的霍尔传感器、施密特触发器和一个open-drain结构的输出驱动管。电路被封装在SOT23-3封装中。与传统的Bipolar技术相比，由于采用先进的CMOS技术，使得利用斩波稳定技术的放大器来抑制和消除来自霍尔电压发生器和放大器的失调电压成为可能。同时，CMOS技术可制造出更小的芯片尺寸和更低的电流消耗。而小的芯片尺寸还可减少压阻效应对霍尔电路的影响。以上这些特性使得可以制造出更稳定、更精确的霍尔传感器。